廈門2026年7月17日 /美通社/ -- 7月16日-17日，第七屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會在北京舉辦。本次大會由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、寬禁帶半導(dǎo)體超越照明材料與技術(shù)全國重點實驗室聯(lián)合主辦，匯聚國內(nèi)科研院校、龍頭企業(yè)、產(chǎn)業(yè)平臺權(quán)威專家，共探行業(yè)未來發(fā)展方向。三安光電亮相并發(fā)表《碳化硅功率半導(dǎo)體在AI服務(wù)器電源的解決方案》主題演講，面向全產(chǎn)業(yè)鏈分享公司碳化硅方案在AI服務(wù)器電源領(lǐng)域的最新產(chǎn)業(yè)化成果。

AI算力爆發(fā)，高效可靠電源成行業(yè)剛需

當(dāng)前AI服務(wù)器機柜功率由120kW邁向兆瓦級，電源模塊也從3kW快速迭代至30kW以上。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，2030年全球數(shù)據(jù)中心電力需求量預(yù)計將增長220%。算力產(chǎn)業(yè)高速增長的背后，高適配、高效率、高可靠的電源系統(tǒng)，已成為高端算力基建的核心剛需，也是全球半導(dǎo)體功率技術(shù)賽道的核心競爭焦點。

實測效率96.71%，大幅降低算力運營成本

基于主流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實測，三安光電650V SiC MOSFET在典型負(fù)載下最高效率達96.71%，相比傳統(tǒng)硅基方案，系統(tǒng)整體能效提升約5%。以一兆瓦系統(tǒng)五年運行周期測算，單套系統(tǒng)電費可節(jié)省約60萬美元，同時實現(xiàn)散熱能耗降低30%、運維成本下降20%。即便計入SiC模塊初期溢價，整套方案投資回報周期僅2.1-2.8年，五年整體綜合成本可下降23%，具備顯著的商業(yè)化落地價值。

全鏈條能力,筑牢量產(chǎn)交付與品質(zhì)體系

三安光電構(gòu)建覆蓋長晶、襯底、外延、芯片設(shè)計制造的碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合布局，已具備從材料端到應(yīng)用端的完整交付能力。同時，公司可靠性實驗室通過CNAS認(rèn)證，測試標(biāo)準(zhǔn)覆蓋JEDEC、MIL、AEC-Q101等主流規(guī)范，為批量供貨構(gòu)筑完整的質(zhì)量閉環(huán)。目前，三安光電碳化硅產(chǎn)品已在新能源汽車、光伏儲能、充電樁、服務(wù)器電源及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域批量應(yīng)用，累計向超過800家國內(nèi)外客戶交付碳化硅芯片及器件4億顆。

深耕算力賽道，錨定下一代技術(shù)路線

三安光電在會上表示，布局AI服務(wù)器高端算力賽道，核心是搭建可復(fù)現(xiàn)、數(shù)據(jù)充分驗證、高穩(wěn)定的可靠產(chǎn)品體系。針對行業(yè)高端設(shè)備進口依賴、成本與可靠性難以平衡等痛點，公司明確下一代技術(shù)規(guī)劃：加速8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)，壓降缺陷與生產(chǎn)成本；依托AI智能檢測實現(xiàn)制造全流程管控；聯(lián)動國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈伙伴突破關(guān)鍵技術(shù)，構(gòu)建碳化硅完整產(chǎn)業(yè)閉環(huán)。

深耕碳化硅，以硬核芯片驅(qū)動算力升級。