廈門(mén)2026年5月25日 /美通社/ -- 近日，三安光電旗下湖南三安歷經(jīng)三年專項(xiàng)攻堅(jiān)，成功實(shí)現(xiàn)低電阻碳化硅襯底技術(shù)重大突破，成為全球少數(shù)掌握該項(xiàng)核心技術(shù)的企業(yè)，標(biāo)志著三安光電在核心半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力持續(xù)夯實(shí)，為AI服務(wù)器電源、新能源汽車等高端應(yīng)用領(lǐng)域提供關(guān)鍵支撐。

隨著AI數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算等算力基礎(chǔ)設(shè)施高速發(fā)展，服務(wù)器電源成為決定數(shù)據(jù)中心PUE值和運(yùn)營(yíng)成本的核心關(guān)鍵。主流服務(wù)器電源需滿足80 PLUS鈦金級(jí)（效率≥96%）及更高能效標(biāo)準(zhǔn)，傳統(tǒng)硅基器件已逼近物理極限，難以兼顧高效率與小型化需求。

破解行業(yè)難題，實(shí)現(xiàn)低電阻高品質(zhì)雙向兼顧

作為理想替代材料的碳化硅，常規(guī)襯底電阻率偏高（約20mΩ?cm），若進(jìn)一步降低電阻，極易產(chǎn)生層錯(cuò)、位錯(cuò)等缺陷，導(dǎo)致良率低、成本高，制約其在服務(wù)器電源領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用。碳化硅襯底電阻每降低1mΩ?cm，器件導(dǎo)通電阻可下降2%-4%，對(duì)服務(wù)器電源而言，這意味著更低發(fā)熱、更小散熱器、更高開(kāi)關(guān)頻率，從而縮小變壓器與電容，助力電源模塊向超高效（98%-99%）與小尺寸邁進(jìn)。

三安光電在晶體生長(zhǎng)、純度控制、缺陷抑制等環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破，碳化硅襯底平均電阻率穩(wěn)定至11mΩ?cm，較傳統(tǒng)量產(chǎn)20mΩ?cm減半，同時(shí)層錯(cuò)、位錯(cuò)、微管、面型等指標(biāo)對(duì)標(biāo)量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，成功破解"低電阻與高品質(zhì)" 不可兼得的行業(yè)難題。

可靠性驗(yàn)證：1000小時(shí)零失效，具備量產(chǎn)能力

值得關(guān)注的是該低電阻碳化硅襯底并非實(shí)驗(yàn)室樣品，而是經(jīng)過(guò)嚴(yán)苛驗(yàn)證的成熟、可靠、可批量生產(chǎn)的產(chǎn)品。三安光電已完成外延、器件全流程驗(yàn)證，首批配套芯片通過(guò)1000小時(shí)可靠性測(cè)試，實(shí)現(xiàn)零失效。目前，湖南三安已完全具備量產(chǎn)能力，隨時(shí)可按需規(guī)模化供貨。客戶無(wú)需調(diào)整后段工藝即可無(wú)縫升級(jí)，大幅降低應(yīng)用門(mén)檻與升級(jí)成本。

疊加尺寸迭代，賦能多領(lǐng)域提效

低電阻碳化硅襯底帶來(lái)更低導(dǎo)通損耗、更高功率密度與更精簡(jiǎn)的熱管理方案，助力數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)向鈦金級(jí)乃至更高能效邁進(jìn)。同時(shí)，疊加碳化硅產(chǎn)業(yè)從6英寸向8英寸的迭代趨勢(shì)，將進(jìn)一步攤薄制造成本。

三安光電將持續(xù)深耕低電阻碳化硅襯底等先進(jìn)技術(shù)研發(fā)，加速碳化硅器件在服務(wù)器電源、新能源汽車、高壓快充、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的大規(guī)模滲透，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈向高性能、低成本、高可靠方向升級(jí)，為全球綠色能源轉(zhuǎn)型提供堅(jiān)實(shí)的材料基礎(chǔ)。