日本京都2026年1月22日 /美通社/ -- Nuvoton Technology Corporation Japan（以下簡稱「NTCJ」）於1月20日宣佈，開始量產(chǎn)其高功率紫外光半導體雷射二極體(379 nm, 1.0 W)。該產(chǎn)品採用直徑9.0 mm的CAN封裝(TO-9)，可實現(xiàn)行業(yè)領先(*)的光功率輸出。透過NTCJ專有的器件結構和先進的高散熱封裝技術，該產(chǎn)品實現(xiàn)了短波長、高功率和長壽命這三個先前被認為難以達成的紫外半導體雷射元素，有助於提升先進半導體封裝無掩模光刻的圖形化精密度和生產(chǎn)效率。

（*）截至2026年1月16日，基於NTCJ對波長為379 nm、TO-9 CAN封裝、在25°C殼溫(Tc)下連續(xù)波(CW)運行的半導體雷射的研究。

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隨著人工智能(AI)的發(fā)展推動信息處理能力需求增長，對半導體性能的要求較以往也在不斷提高。另一方面，隨著電晶體微縮化發(fā)展接近其物理和經(jīng)濟極限，半導體後端封裝技術和先進半導體封裝技術（通過並排排列或垂直堆疊多個半導體晶片的集成方案）正引起關注。

這些封裝技術的演進，離不開無掩膜曝光技術的支持。作為無掩模光刻技術中的關鍵光源之一，半導體雷射面臨著向更短波長（接近i線365 nm）和更高輸出功率發(fā)展的不斷增長的需求，以實現(xiàn)更精細的線路和提高設備產(chǎn)能。為滿足這些要求，NTCJ憑藉40多年的雷射設計和製造經(jīng)驗，開發(fā)並商業(yè)化了波長為379 nm、輸出功率達1.0 W的紫外光半導體雷射。

紫外光半導體雷射通常存在由於低光電轉換效率(WPE)引起的顯著熱量產(chǎn)生問題，以及由紫外光引起的器件退化傾向，這使得在1.0 W以上的高輸出水準下實現(xiàn)穩(wěn)定運行變得困難。為解決這一問題，NTCJ採取了雙管齊下的方法，同時專注於「提高WPE的器件結構」和「有效散熱的高熱傳導封裝技術」，成功開發(fā)出一款兼具短波長、高功率和長壽命的產(chǎn)品：1.0 W紫外線(379 nm)器件。這有助於延長紫外光光學器件的壽命。

該產(chǎn)品作為NTCJ的「基於半導體雷射的汞燈替代產(chǎn)品」系列的新成員，為客戶提供了新的選擇。

NTCJ將在美國三藩市舉行的SPIE Photonics West 2026展會以及日本橫濱舉辦的OPIE'26展會的展臺上展示這款新產(chǎn)品的詳細資訊。NTCJ誠摯期待您的蒞臨。

產(chǎn)品詳情，請瀏覽：https://nuvoton.co.jp/semi-spt/apl/rd/?id=1100-0172

關於Nuvoton Technology Corporation Japan：https://www.nuvoton.co.jp/en/

SPIE Photonics West 2026新唐展位網(wǎng)頁：https://spie.org/ExhibitorDetail?ExpoID=5022&ExhibitorID=105454

OPIE（國際光學與光電技術展覽會）：https://www.opie.jp/en/