為提高移動(dòng)和汽車(chē)功率半導(dǎo)體性能提供了解決方案

韓國(guó)首爾2024年9月11日 /美通社/ -- 韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠(chǎng)SK啟方半導(dǎo)體(SK keyfoundry)今天宣布推出其第四代0.18微米BCD工藝，性能較之前的第三代提升了約20%。借此，SK啟方半導(dǎo)體為提高移動(dòng)和汽車(chē)功率半導(dǎo)體性能提供了解決方案。

SK啟方半導(dǎo)體的第四代0.18微米BCD工藝提供高達(dá)40V的功率器件，并支持多種功率器件柵極輸入電壓，如3.3V、5V和18V，可應(yīng)用于多種場(chǎng)景，例如服務(wù)器和筆記本電腦PMIC、DDR5內(nèi)存PMIC、移動(dòng)充電器、音頻放大器和汽車(chē)柵極驅(qū)動(dòng)器等，以滿(mǎn)足客戶(hù)需求。此外還提供MTP（可多次編程）/OTP（一次性編程）存儲(chǔ)器、SRAM存儲(chǔ)器等選項(xiàng)，幫助客戶(hù)更好地進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

SK啟方半導(dǎo)體的第四代0.18微米BCD工藝符合汽車(chē)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q100 Grade 1，確保集成電路(IC)能在125℃的高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，適用于汽車(chē)功率半導(dǎo)體，厚IMD（金屬間介質(zhì)）選項(xiàng)使得汽車(chē)產(chǎn)品設(shè)計(jì)能夠承受超過(guò)15,000V的電壓。

憑借從第三代0.18微米BCD工藝中積攢的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)以及客戶(hù)的高度信任，該公司期望第四代0.18微米BCD工藝能夠幫助延長(zhǎng)移動(dòng)設(shè)備的電池壽命、通過(guò)減少發(fā)熱實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的性能，并通過(guò)提高汽車(chē)用功率半導(dǎo)體的能源效率來(lái)改善整體性能。

SK啟方半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示："我們很高興能夠?yàn)榭蛻?hù)提供性能更好的全新第四代0.18微米BCD工藝。SK啟方半導(dǎo)體將繼續(xù)加強(qiáng)在功率半導(dǎo)體工藝技術(shù)方面的競(jìng)爭(zhēng)力，并與客戶(hù)緊密合作，將業(yè)務(wù)拓展到未來(lái)有望實(shí)現(xiàn)高速增長(zhǎng)的各種應(yīng)用領(lǐng)域，例如AI服務(wù)器PMIC、DDR5 PMIC、汽車(chē)柵極驅(qū)動(dòng)IC等。"