韓國首爾2021年7月12日 /美通社/ -- SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com）宣布已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb） *LPDDR4 移動端DRAM產(chǎn)品。
* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格。“DDR” 為電子工程設(shè)計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Electron Device Engineering Council，簡稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標(biāo)準名稱，DDR1-2-3-4為其順序進行換代。 |
圖1. SK海力士開始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級DRAM
自從10納米級DRAM產(chǎn)品開始，半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)將每一代工藝節(jié)點都以標(biāo)注英文字母的方式起名，此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節(jié)點。公司預(yù)計從下半年開始向智能手機廠商供應(yīng)適用1a納米級技術(shù)的移動端DRAM。
此次量產(chǎn)的產(chǎn)品是SK海力士首次采用EUV技術(shù)進行量產(chǎn)的DRAM，其意義非凡。SK海力士在此前生產(chǎn)1y納米級產(chǎn)品過程中曾部分采用了EUV技術(shù)，事先完成了對其穩(wěn)定性的驗證。
* EUV (Extreme Ultraviolet)：指利用極紫外線的光刻設(shè)備 |
工藝的極度細微化趨勢使半導(dǎo)體廠商陸續(xù)導(dǎo)入EUV設(shè)備，并將其投入在晶圓上繪制電路的光刻工藝當(dāng)中。業(yè)界認為采用EUV技術(shù)的水平將成為今后決定技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位的重要因素。SK海力士通過此次量產(chǎn)確保了EUV工藝技術(shù)的穩(wěn)定性，并表示未來的1a納米級 DRAM都將采用EUV工藝進行生產(chǎn)。
SK海力士期待通過新產(chǎn)品生產(chǎn)效率的提升得以確保更高的成本競爭力。相較前一代1z納米級工藝的同樣規(guī)格產(chǎn)品，1a納米級DRAM在每一張晶圓中可產(chǎn)出的產(chǎn)品數(shù)量約提高了25%。在今年全球DRAM需求持續(xù)增長的背景下，公司期待1a納米級DRAM在全球存儲半導(dǎo)體供需中扮演重要角色。
此次新產(chǎn)品穩(wěn)定支持 LPDDR4 移動端DRAM規(guī)格的最高速度（4266Mbps），并相較前一代產(chǎn)品其功耗也降低了約20%. SK海力士認為此次新產(chǎn)品進一步強化了低功耗的優(yōu)勢，助力碳排放量的減少，充分體現(xiàn)了SK海力士注重ESG（環(huán)境、社會、公司治理）經(jīng)營的精神理念。
在本次LPDDR4產(chǎn)品之后，SK海力士還計劃從明年初開始將1a納米級工藝導(dǎo)入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。
SK海力士1a納米級DRAM領(lǐng)導(dǎo)小組（Task Force）的曹永萬副社長表示：“此次量產(chǎn)的1a納米級DRAM在生產(chǎn)效率和成本競爭力層面都有改善，從而可以期待更高的盈利。通過將EUV技術(shù)全面導(dǎo)入量產(chǎn)程序，SK海力士有望進一步鞏固引領(lǐng)尖端技術(shù)的高新企業(yè)地位。”
