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        武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產品系列

        武漢新芯宣布推出業(yè)界先進的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作,為物聯(lián)網、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。

        武漢2019年12月18日 /美通社/ -- 2019年12月18日,紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司(以下簡稱“武漢新芯”),一家領先的非易失性存儲供應商,宣布推出業(yè)界先進的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作,為物聯(lián)網、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。

        XM25QWxxC系列產品的讀速在1.65V至3.6V電壓范圍內可達108MHz(在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持),提供比其他供應商更快更強的性能,在電源電壓下降后,時鐘速度沒有任何減慢。其傳輸速率可以勝過8位和16位并行閃存。在連續(xù)讀取模式下能實現高效的存儲器訪問,僅需8個時鐘的指令周期即可讀取24位地址,從而實現真正的XIP(execute in place)操作。

        XM25QWxxC系列支持SOP8和USON8封裝,協(xié)助客戶開發(fā)小尺寸的產品。

        “XM25QWxxC系列產品采用業(yè)界先進的50nm Floating Gate工藝,可使便攜式設備的電池壽命延長1.5倍以上。此外,客戶可以通過寬電壓功能實現更好的庫存管理。”武漢新芯運營中心副總裁孫鵬先生表示,“該系列產品的發(fā)布是武漢新芯自主品牌戰(zhàn)略的關鍵里程碑,未來公司也將針對持續(xù)發(fā)展的IoT市場不斷開發(fā)出創(chuàng)新產品,以此擴展高性能存儲產品組合。”

        消息來源:武漢新芯集成電路制造有限公司
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