以色列特拉維夫2016年6月6日電 /美通社/ -- VisIC Technologies欣然宣布推出新一代高級低損耗開關(guān)V22S65A（配有內(nèi)部碳化硅二極管）和V22N65A（不配有內(nèi)部碳化硅二極管）。
全開關(guān)產(chǎn)品
測試參數(shù)-持續(xù)電流模式- 開關(guān)頻率200khz- 死區(qū)時(shí)間100ns- 輸入電壓 =401.219Vdc 輸出電壓=229.626V 輸入功率=2502W 上升時(shí)間=11.5ns 效率=99.3% 輸入電流=6.2362A 輸出電流=10.822A 輸出功率=2485W 下降時(shí)間=18.5ns
（圖片：http://photos.prnewswire.com/prnh/20160603/375139 ）
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這一新版VisIC高級低損耗開關(guān)產(chǎn)品系列可以顯著減少米勒效應(yīng)(MILLER effect)，支持輕松提供將被用于基于VisIC的設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電路。這些新設(shè)備還能幫助降低關(guān)于特殊應(yīng)用所用材料的費(fèi)用。
V22系列產(chǎn)品在拓?fù)浞矫娣浅Ｓ行В軌虮挥糜诹汶妷洪_關(guān)(Zero Voltage Switching)或零電流開關(guān)(Zero Current Switching)拓?fù)漕I(lǐng)域。在650伏氮化鎵/碳化硅MOSFET晶體管中，該系列擁有較低的導(dǎo)通電阻(Rdson)，而且可以憑借超過100V/nS的壓擺率，實(shí)現(xiàn)效率超高的功率變換。
此外，由于閾值電壓超過了5伏，新款設(shè)備在惡劣的EMI（電磁干擾）環(huán)境中也能很好地工作。
VisIC Technologies已經(jīng)憑借其半橋(Half Bridge)演示電路板的強(qiáng)大性能，展示了其所創(chuàng)造的全球紀(jì)錄 -- 在輸出功率達(dá)2.5KW的硬切換拓?fù)渲校l率達(dá)200 kHz時(shí)，較高效率超過99.3%。
