三星電子首款12納米級DDR5 DRAM
三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。
這一技術(shù)突破是通過使用一種新的高介電（high-k）材料來增加電池電容，以及改進關(guān)鍵電路特性的專利設(shè)計技術(shù)而實現(xiàn)的。結(jié)合先進的多層極紫外（EUV）光刻技術(shù)，新款DRAM擁有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圓生產(chǎn)率提高20%。基于DDR5最新標(biāo)準(zhǔn)，三星12nm級DRAM將解鎖高達(dá)7.2千兆每秒（Gbps）的速度，這意味著一秒鐘內(nèi)處理兩部30GB的超高清（UHD）電影。新款DRAM同時擁有卓越的速度與更高的能效。與上一代三星DRAM產(chǎn)品相比，12nm級DRAM的功耗降低約23%。（美通社,2022年12月21日深圳）
